ТоварминПРОРеестр 719 · Росздравнадзор · РоспатентТри госреестра для закупок

ОКПД2 26.11.22

Приборы полупроводниковые; диоды светоизлучающие полупроводниковые; приборы пьезоэлектрические; их части: российская продукция в реестре ПП 719

В реестре российской промышленной продукции (ПП РФ № 719) — 242 действующие записи с кодом 26.11.22 и вложенными кодами от 20 производителей. У 242 есть карточка в каталоге ГИСП с фото или характеристиками. Регион производителя известен для 242 записей; больше всего из: Республика Мордовия (70), Орловская область (61), Санкт-Петербург (34).

Подкатегории

  • 26.11.22.190Приборы полупроводниковые прочие135 записей
  • 26.11.22.300Приборы пьезоэлектрические и их части47 записей
  • 26.11.22.100Приборы полупроводниковые и их части25 записей
  • 26.11.22.120Элементы фотогальванические10 записей
  • 26.11.22.216Светодиоды белого диапазона10 записей
  • 26.11.22.130Диоды лазерные (полупроводниковые лазеры)4 записи
  • 26.11.22.200Светодиоды, светодиодные модули и их части4 записи
  • 26.11.22.110Фоторезисторы3 записи
  • 26.11.22.112Код без названия в справочнике2 записи
  • 26.11.22.210Светодиоды2 записи

Российские аналоги: Приборы полупроводниковые; диоды светоизлучающие полупроводниковые; приборы пьезоэлектрические; их части

Все записи подборки — продукция, которую Минпромторг внёс в реестр российской промышленной продукции. Чтобы подобрать замену импортному изделию, сравните характеристики и проверьте срок действия записи на странице товара: там же выписка и производитель.

Продукция в реестре (242)

ГИСПРоспатент

Элемент фотоэлектрический HVL Cell M6 MBB

Роспатент: 4 товарных знака производителя

Включён: 19.10.2026Срок: 18.10.2029ОКПД2: 26.11.22.120ТН ВЭД: 8541 42 000 0ИНН: 2124030957Изготовлена по: АТМС.564110.003 ТУОснование: СТ-1, 6079000178Департамент: Департамент машиностроения для топливно-энергетического комплекса

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСПРоспатент

Модуль полупроводниковый AnM100HBA12M

Роспатент: 1 товарный знак производителя

Включён: 30.09.2026Срок: 29.09.2029ОКПД2: 26.11.22.190ТН ВЭД: 8541 51 000 0ИНН: 7735010706Изготовлена по: ПАКД.432171.045ТУ, ПАКД.432171.045-01ТУОснование: СТ-1, 6021014974Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСПРоспатент

Модуль полупроводниковый AnM200HBB12M

Роспатент: 1 товарный знак производителя

Включён: 30.09.2026Срок: 29.09.2029ОКПД2: 26.11.22.190ТН ВЭД: 8541 51 000 0ИНН: 7735010706Изготовлена по: ПАКД.432171.045ТУ, ПАКД.432171.045-01ТУОснование: СТ-1, 6021014974Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСПРоспатент

Модуль полупроводниковый AnM300HBB12M

Роспатент: 1 товарный знак производителя

Включён: 30.09.2026Срок: 29.09.2029ОКПД2: 26.11.22.190ТН ВЭД: 8541 51 000 0ИНН: 7735010706Изготовлена по: ПАКД.432171.045ТУ, ПАКД.432171.045-01ТУОснование: СТ-1, 6021014974Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСП

Микроболометрическое фотоприемное устройство АСТРОН-64012

Включён: 24.09.2026Срок: 23.09.2029ОКПД2: 26.11.22.112ТН ВЭД: 9027 50 000 0ИНН: 5027224977Изготовлена по: АДСГ.431156.047 ТУ, ГОСТ Р 58568-2019Основание: СТ-1, 6144000321Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСПРоспатент

Генератор пьезоэлектрический термокомпенсированный ГК176-TK-12,688469M (cпeц. №Г2167M)

Роспатент: 1 товарный знак производителя

Включён: 15.09.2026Срок: 14.09.2029ОКПД2: 26.11.22.300ТН ВЭД: 8543 20 000 0ИНН: 7801016421Изготовлена по: ГЖКД.433534.027 ТУОснование: СТ-1, 6154000157Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСПРоспатент

Генератор пьезоэлектрический термокомпенсированный ГК176-TK-16,384M-0,5E-6/GT-B-KMOП-3,3-75/1

Роспатент: 1 товарный знак производителя

Включён: 15.09.2026Срок: 14.09.2029ОКПД2: 26.11.22.300ТН ВЭД: 8543 20 000 0ИНН: 7801016421Изготовлена по: ГЖКД.433534.027 ТУОснование: СТ-1, 6154000157Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСПРоспатент

Генератор пьезоэлектрический термокомпенсированный ГК176-TK-32,768M-2E-6/EX-B-KMOП-3,3-75/1

Роспатент: 1 товарный знак производителя

Включён: 15.09.2026Срок: 14.09.2029ОКПД2: 26.11.22.300ТН ВЭД: 8543 20 000 0ИНН: 7801016421Изготовлена по: ГЖКД.433534.027 ТУОснование: СТ-1, 6154000157Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСПРоспатент

Генератор пьезоэлектрический термокомпенсированный ГК176-ТК-9,6М-0,28Е-6/ЕХ-В-КМОП-3,3-75

Роспатент: 1 товарный знак производителя

Включён: 15.09.2026Срок: 14.09.2029ОКПД2: 26.11.22.300ТН ВЭД: 8543 20 000 0ИНН: 7801016421Изготовлена по: ГЖКД.433534.027 ТУОснование: СТ-1, 6154000157Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСПРоспатент

Генератор пьезоэлектрический термокомпенсированный ГК176-TK-10M-0,5E-6/EX-B-KMOП-3,3-75/1

Роспатент: 1 товарный знак производителя

Включён: 15.09.2026Срок: 14.09.2029ОКПД2: 26.11.22.300ТН ВЭД: 8543 20 000 0ИНН: 7801016421Изготовлена по: ГЖКД.433534.027 ТУОснование: СТ-1, 6154000157Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСПРоспатент

Генератор пьезоэлектрический термокомпенсированный ГК176-TK-10M-1,0E-6/EX-B-Sin-3,3-75

Роспатент: 1 товарный знак производителя

Включён: 15.09.2026Срок: 14.09.2029ОКПД2: 26.11.22.300ТН ВЭД: 8543 20 000 0ИНН: 7801016421Изготовлена по: ГЖКД.433534.027 ТУОснование: СТ-1, 6154000157Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСПРоспатент

Генератор пьезоэлектрический термокомпенсированный ГК176-TK-16,384M-2E-6/EX-B-KMOП-3,3-75/1

Роспатент: 1 товарный знак производителя

Включён: 15.09.2026Срок: 14.09.2029ОКПД2: 26.11.22.300ТН ВЭД: 8543 20 000 0ИНН: 7801016421Изготовлена по: ГЖКД.433534.027 ТУОснование: СТ-1, 6154000157Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСПРоспатент

Генератор пьезоэлектрический термокомпенсированный ГК176-TK-20M-2E-6/EX-B-KMOП-3,3-75/1

Роспатент: 1 товарный знак производителя

Включён: 15.09.2026Срок: 14.09.2029ОКПД2: 26.11.22.300ТН ВЭД: 8543 20 000 0ИНН: 7801016421Изготовлена по: ГЖКД.433534.027 ТУОснование: СТ-1, 6154000157Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСПРоспатент

Генератор пьезоэлектрический термокомпенсированный ГК176-TK-20,48M-2E-6/EX-B-KMOП-3,3-75/1

Роспатент: 1 товарный знак производителя

Включён: 15.09.2026Срок: 14.09.2029ОКПД2: 26.11.22.300ТН ВЭД: 8543 20 000 0ИНН: 7801016421Изготовлена по: ГЖКД.433534.027 ТУОснование: СТ-1, 6154000157Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСПРоспатент

Генератор пьезоэлектрический термокомпенсированный ГК176-TK-25M-2E-6/EX-B-KMOП-3,3-75/1

Роспатент: 1 товарный знак производителя

Включён: 15.09.2026Срок: 14.09.2029ОКПД2: 26.11.22.300ТН ВЭД: 8543 20 000 0ИНН: 7801016421Изготовлена по: ГЖКД.433534.027 ТУОснование: СТ-1, 6154000157Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСПРоспатент

Генератор пьезоэлектрический управляемый напряжением термокомпенсированный ГК176-УHTK-12,8M-1,0E-6/EX-B-KMOП-3,3-53-C1

Роспатент: 1 товарный знак производителя

Включён: 15.09.2026Срок: 14.09.2029ОКПД2: 26.11.22.300ТН ВЭД: 8543 20 000 0ИНН: 7801016421Изготовлена по: ГЖКД.433534.027 ТУОснование: СТ-1, 6154000157Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСПРоспатент

Генератор пьезоэлектрический управляемый напряжением термокомпенсированный ГК176-УHTK-19,2M (cпeц. №Г2197M)

Роспатент: 1 товарный знак производителя

Включён: 15.09.2026Срок: 14.09.2029ОКПД2: 26.11.22.300ТН ВЭД: 8543 20 000 0ИНН: 7801016421Изготовлена по: ГЖКД.433534.027 ТУОснование: СТ-1, 6154000157Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСПРоспатент

Генератор пьезоэлектрический управляемый напряжением термокомпенсированный ГК176-УHTK-10M-1,0E-6/BX-A-Sin-3,3-53-C2

Роспатент: 1 товарный знак производителя

Включён: 15.09.2026Срок: 14.09.2029ОКПД2: 26.11.22.300ТН ВЭД: 8543 20 000 0ИНН: 7801016421Изготовлена по: ГЖКД.433534.027 ТУОснование: СТ-1, 6154000157Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСПРоспатент

Генератор пьезоэлектрический термокомпенсированный ГК176-TK-12,688469M-0,5E-6/EX-C-KMOП-3,3-75

Роспатент: 1 товарный знак производителя

Включён: 15.09.2026Срок: 14.09.2029ОКПД2: 26.11.22.300ТН ВЭД: 8543 20 000 0ИНН: 7801016421Изготовлена по: ГЖКД.433534.027 ТУОснование: СТ-1, 6154000157Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСПРоспатент

Генератор пьезоэлектрический термокомпенсированный ГК176-TK-20M (cпeц. №Г1092M)

Роспатент: 1 товарный знак производителя

Включён: 15.09.2026Срок: 14.09.2029ОКПД2: 26.11.22.300ТН ВЭД: 8543 20 000 0ИНН: 7801016421Изготовлена по: ГЖКД.433534.027 ТУОснование: СТ-1, 6154000157Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСПРоспатент

Генератор пьезоэлектрический управляемый напряжением термокомпенсированный ГК176-УHTK-19,2M (cпeц. № Г2337M)

Роспатент: 1 товарный знак производителя

Включён: 15.09.2026Срок: 14.09.2029ОКПД2: 26.11.22.300ТН ВЭД: 8543 20 000 0ИНН: 7801016421Изготовлена по: ГЖКД.433534.027 ТУОснование: СТ-1, 6154000157Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСПРоспатент

Генератор пьезоэлектрический термокомпенсированный ГК176-TK-12,8M-0,5E-6/EX-B-KMOП-3,3-53

Роспатент: 1 товарный знак производителя

Включён: 15.09.2026Срок: 14.09.2029ОКПД2: 26.11.22.300ТН ВЭД: 8543 20 000 0ИНН: 7801016421Изготовлена по: ГЖКД.433534.027 ТУОснование: СТ-1, 6154000157Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСП

Модули на биполярных транзисторах с изолированным затвором MID2-HB17SG-750N

Включён: 26.08.2026Срок: 25.08.2029ОКПД2: 26.11.22.190ТН ВЭД: 8541 29 000 0ИНН: 5753020414Изготовлена по: МУИШ.435773.010ТУОснование: СТ-1, 6045000031Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСП

Модули на биполярных транзисторах с изолированным затвором MID2-HB17SM-600N

Включён: 26.08.2026Срок: 25.08.2029ОКПД2: 26.11.22.190ТН ВЭД: 8541 29 000 0ИНН: 5753020414Изготовлена по: МУИШ.435773.010ТУОснование: СТ-1, 6045000031Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСП

Модули на биполярных транзисторах с изолированным затвором MID2-HB12LA-450N

Включён: 26.08.2026Срок: 25.08.2029ОКПД2: 26.11.22.190ТН ВЭД: 8541 29 000 0ИНН: 5753020414Изготовлена по: МУИШ.435773.010ТУОснование: СТ-1, 6045000031Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСП

Модули на биполярных транзисторах с изолированным затвором MID2-HB17LA-600N

Включён: 26.08.2026Срок: 25.08.2029ОКПД2: 26.11.22.190ТН ВЭД: 8541 29 000 0ИНН: 5753020414Изготовлена по: МУИШ.435773.010ТУОснование: СТ-1, 6045000031Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСП

Модули на биполярных транзисторах с изолированным затвором MID2-HB17LA-450N

Включён: 26.08.2026Срок: 25.08.2029ОКПД2: 26.11.22.190ТН ВЭД: 8541 29 000 0ИНН: 5753020414Изготовлена по: МУИШ.435773.010ТУОснование: СТ-1, 6045000031Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСП

Модули на биполярных транзисторах с изолированным затвором MID2-HB12SM-300N

Включён: 26.08.2026Срок: 25.08.2029ОКПД2: 26.11.22.190ТН ВЭД: 8541 29 000 0ИНН: 5753020414Изготовлена по: МУИШ.435773.010ТУОснование: СТ-1, 6045000031Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСП

Модули на биполярных транзисторах с изолированным затвором MID2-HB12SG-600N

Включён: 26.08.2026Срок: 25.08.2029ОКПД2: 26.11.22.190ТН ВЭД: 8541 29 000 0ИНН: 5753020414Изготовлена по: МУИШ.435773.010ТУОснование: СТ-1, 6045000031Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСП

Модули на биполярных транзисторах с изолированным затвором MID2-HB17SG-450N

Включён: 26.08.2026Срок: 25.08.2029ОКПД2: 26.11.22.190ТН ВЭД: 8541 29 000 0ИНН: 5753020414Изготовлена по: МУИШ.435773.010ТУОснование: СТ-1, 6045000031Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСП

Модули на биполярных транзисторах с изолированным затвором MID2-HB17LA-300N

Включён: 26.08.2026Срок: 25.08.2029ОКПД2: 26.11.22.190ТН ВЭД: 8541 29 000 0ИНН: 5753020414Изготовлена по: МУИШ.435773.010ТУОснование: СТ-1, 6045000031Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСП

Модули на биполярных транзисторах с изолированным затвором MID2-HB12SG-450N

Включён: 26.08.2026Срок: 25.08.2029ОКПД2: 26.11.22.190ТН ВЭД: 8541 29 000 0ИНН: 5753020414Изготовлена по: МУИШ.435773.010ТУОснование: СТ-1, 6045000031Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСП

Модули на биполярных транзисторах с изолированным затвором MID2-HB12SM-600N

Включён: 26.08.2026Срок: 25.08.2029ОКПД2: 26.11.22.190ТН ВЭД: 8541 29 000 0ИНН: 5753020414Изготовлена по: МУИШ.435773.010ТУОснование: СТ-1, 6045000031Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСП

Модули на биполярных транзисторах с изолированным затвором MID2-HB12SM-450N

Включён: 26.08.2026Срок: 25.08.2029ОКПД2: 26.11.22.190ТН ВЭД: 8541 29 000 0ИНН: 5753020414Изготовлена по: МУИШ.435773.010ТУОснование: СТ-1, 6045000031Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСП

Модули на биполярных транзисторах с изолированным затвором MID2-HB12LA-600N

Включён: 26.08.2026Срок: 25.08.2029ОКПД2: 26.11.22.190ТН ВЭД: 8541 29 000 0ИНН: 5753020414Изготовлена по: МУИШ.435773.010ТУОснование: СТ-1, 6045000031Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСП

Модули на биполярных транзисторах с изолированным затвором MID2-HB17SG-600N

Включён: 26.08.2026Срок: 25.08.2029ОКПД2: 26.11.22.190ТН ВЭД: 8541 29 000 0ИНН: 5753020414Изготовлена по: МУИШ.435773.010ТУОснование: СТ-1, 6045000031Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСП

Модули на биполярных транзисторах с изолированным затвором MID2-HB12LA-300N

Включён: 26.08.2026Срок: 25.08.2029ОКПД2: 26.11.22.190ТН ВЭД: 8541 29 000 0ИНН: 5753020414Изготовлена по: МУИШ.435773.010ТУОснование: СТ-1, 6045000031Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП
ГИСП

Модули на биполярных транзисторах с изолированным затвором MID2-HB17SM-450N

Включён: 26.08.2026Срок: 25.08.2029ОКПД2: 26.11.22.190ТН ВЭД: 8541 29 000 0ИНН: 5753020414Изготовлена по: МУИШ.435773.010ТУОснование: СТ-1, 6045000031Департамент: Департамент радиоэлектронной промышленности

Открыть карточкуВыписка ГИСП

Российские производители: Приборы полупроводниковые; диоды светоизлучающие полупроводниковые; приборы пьезоэлектрические; их части

ОКПД2 — общероссийский классификатор продукции по видам экономической деятельности (ОК 034-2014, КПЕС 2008). Названия кодов — по тексту классификатора Минэкономразвития России (редакция 2022 года). Подборка собрана по действующим записям перечня ПП РФ № 719 и пересчитывается после обновления реестра. Она помогает найти производителей, но не заменяет официальную выписку Минпромторга.